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LQA08TC600
Qspeed?
Family
600 V, 8 A Q-Series PFC Diode
www.powerint.com January 2011
Product Summary
IF(AVG)
8 A
This device has the lowest QRR
of any 600 V
Silicon diode. Its recovery characteristics
VRRM
600 V
QRR (Typ at 125 °C) 36 nC
IRRM
(Typ at 125 °C) 2 A
Softness tb/ta (Typ at 125 °C) 1.3
AC
TO-220AC
RoHS Compliant
Package uses Lead-free plating and
Green mold compound.
Halogen free per IEC 61249-2-21.
General Description
increase efficiency, reduce EMI and eliminate
snubbers.
Applications
?
Power Factor Correction (PFC) Boost Diode
?
Motor drive circuits
?
DC-AC Inverters
Features
?
Low Q
RR, Low IRRM, Low tRR
?
High dI
F/dt capable (1000A/μs)
?
Soft recovery
Benefits
?
Increases efficiency
?
Eliminates need for snubber circuits
?
Reduces EMI filter component size & count
?
Enables extremely fast switching
?
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings are the values beyond which the device
may be damaged or have its useful life impaired. Functional
operation under these conditions is not implied.
Symbol Parameter Conditions Rating Units
VRRM
Peak repetitive reverse voltage 600 V
IF(AVG)
Average forward current T
J
= 150 °C, T
C
= 100 °C 8 A
IFSM
Non-repetitive peak surge current 60 Hz, ? cycle 80 A
IFSM
Non-repetitive peak surge current ? cycle of t=28
μs Sinusoid, TC=25 °C 350 A
TJ(MAX)
Maximum junction temperature 150 °C
TSTG
Storage temperature –55 to 150 °C
Lead soldering temperature Leads
at 1.6 mm from case, 10 sec 300 °C
VISOL
Isolation voltage (leads-t
o-tab) DC, + to tab 2500 V
PD
Power dissipation T
C
= 25 °C 50 W
Thermal Resistance
Symbol Resistance from:
Conditions Rating Units
RθJA
Junction to ambient TO-220 62 °C/W
RθJC
Junction to case TO-220 2.5 °C/W
Pin Assignment
NCNC
NCNC
CC
AA
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